iPhone 6s/6s Plus는 A9 칩의 탑재와 2GB로 증량 된 메모리가 가속화 한 것으로 알려져 있지만, 메모리의
진화는 "양" 뿐만이 아니었다.
- iPhone 6s의 메모리, 진화한 것은 양뿐만 이 아니었다.
iPhone 6s/6s Plus는 벤치 마크 테스트 결과에서 1년 이전 모델 인 iPhone 6/6 Plus를 크게 웃도는 성능을
가진 것으로 밝혀지고 있다. 이 고성능화에 메모리가 1GB에서 2GB로 두 배가 증가했을 뿐만 아니라 채용된
메모리의 규격의 진화도 크게 공헌하고 있다.
발매된지 얼마 안된 iPhone 6s와 iPhone 6s Plus의 분해 보고서를 iFixit가 공개하고 있지만, 분해 된 iPhone 6s
에는 삼성 제, iPhone 6s Plus는 SK Hynix 제 LPDDR4 RAM이 탑재되어 있는 것이 확인되고 있다.
- iPhone 6s/6s Plus에 탑재 된 LPDDR4는 고성능이면서 절전
LPDDR4 메모리의 최신 규격이며, iPhone 6s/6s Plus에 탑재되어 있던 LPDDR3에 비해 2배의 처리 속도를
자랑할 뿐만 아니라 절전 성능이 뛰어난 것이 특징이다.
iPhone 6s/6s Plus는 배터리 용량이 iPhone 6/6 Plus보다 감소하고 있음에도 불구하고, 이용 가능 시간이
같다고 되어 있지만, 이것은 iOS 9에 의한 최적화 이외에 LPDDR4에 의한 전력 절감도 효과 있다고 생각.
올해 1월에는 공급망에서의 정보로 iPhone 6s에 LPDDR4 규격의 메모리가 탑재 될 것이라는 정보가 보도되고
있었다.
- 3세대를 동영상으로 비교하면 성능 차이가 일목요연
스마트폰 제조사 인 동시에 메모리 공급 업체이기도 한 삼성 전자는 올 상반기에 출시 된 Galaxy S6 시리즈에
LPDDR4 규격의 메모리를 빠르게 탑재하고 있었다.
다음 동영상은 LPDDR2(iPhone 3GS에서 iPhone 5/5c에 탑재)LPDDR3(iPhone 5s와 iPhone 6/6 Plus에 탑재),
그리고 iPhone 6s/6s Plus에 탑재 된 LPDDR4의 성능을 비교 한 동영상이다.
Source : BGR